由于生长的InGaN-GaN量子阱结构遭受晶格不匹配导致的应变影响，因而必须利用整个纳米尖点与微碟的不同应变分布。这种现象称为量子局限史塔克效应(QCSE)，其蜂值波长受到应变诱导的压电场影响，从而降低了有效的隙能量，导致发光频谱的红色色移。透过InGaN-GaNQW堆叠的纳米级结构释放这一应力，可望部份缓解这种色移情形。

在大约80nm波长发射的纳米尖点，比生长构的更短，但在575nm标准波长下的相同芯片，发更大的7μm微碟。

研究人员为单晶LED进行纳米制图，并混搭应变InGaN-GaNQW的较长波长以及应变纳米端(Nano-tips)的较短波长光源。

(a)无萤光粉的白光LED单芯片，结合了不同面向的米结构阵列，在进行平面化(c)之前以及之后的(b)制造结构的SEM影像图

所取得的芯片可同步发射在每一纳米结构流程中随机分布的蓝光、绿光与黄光。

纳米结构的单晶LED特写照片显示不同的蓝、绿与黄光。整个芯片尺寸约1x1mm2

目前这一研究仍仅止于概念验证阶段，但研究人员在其研究报告中说明，他们希望能使用电子束或纳米压印等精确的纳米制图技术，进一步提高光与频色分布的均匀一致性。此外，调整纳米尖端与微碟的相对浓度，也可以在整个色域上调整发光度，从而使用多个，不同尺寸的纳米尖端(每一个都具有不同程度的应变-松弛)达到更具连续性的发光效率。